全球首次!国防科大 + 中科院实现 P 型二维半导体晶圆级量产
发布时间:2026-04-10
核心技术突破
1. 独创生长工艺,攻克量产瓶颈
- 畴区尺寸提升至亚毫米级,解决了此前实验室仅能制备微米级碎片的尺寸限制;
- 生长速率较现有文献值高出约 3 个数量级(近 1000 倍),大幅提升产业化效率;
- 掺杂浓度可在5.8×10¹² cm⁻² 至 3.2×10¹³ cm⁻²范围内连续可调,精准适配不同芯片场景需求。
2. 性能优异,适配下一代芯片需求
- 电学性能:空穴迁移率高、开态电流密度大,满足亚 5 纳米节点芯片对载流子传输的高要求国际科技创新中心;
- 稳定性:强度高、散热好、化学性质稳定,耐高温耐腐蚀,适配芯片制造复杂工况;
- 兼容性:与成熟 N 型二维材料完美匹配,补齐二维半导体 “材料短板”,可直接用于构建完整 CMOS 集成电路。
战略意义与自主可控
1. 打破西方技术封锁
2. 抢占后摩尔时代制高点
产业化前景
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