SK 海力士联合闪迪正式发布全球首套 HBF 高带宽闪存开放标准

发布时间：2026-08-05

一、事件基本概况当地时间 2026 年 8 月 4 日，闪存峰会 FMS 2026在美国加州圣克拉拉会展中心开幕，SK 海力士官方官宣，携手闪迪（Sandisk）对外发布HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）行业首份标准规范，标准经由 OCP 开放数据中心联盟公开发布，面向全行业开放使用，不属于企业私有技术壁垒。该成果是双方项目长期推进的阶段性产物：2025 年

一、事件基本概况

当地时间 2026 年 8 月 4 日，闪存峰会 FMS 2026在美国加州圣克拉拉会展中心开幕，SK 海力士官方官宣，携手闪迪（Sandisk）对外发布HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）行业首份标准规范，标准经由 OCP 开放数据中心联盟公开发布，面向全行业开放使用，不属于企业私有技术壁垒。
该成果是双方项目长期推进的阶段性产物：2025 年 8 月启动标准化合作、2026 年 2 月组建 HBF 产业联盟，历时 6 个月打磨落地；目前谷歌、Tenstorrent 两家企业已加入联盟参与适配验证，生态阵营初步成型。峰会首日 SK 海力士副社长金千成、姜郁成发表主题演讲，围绕 “分层内存架构” 解读下一代 AI 基础设施方案，还联合谷歌 DeepMind、闪迪开展圆桌论坛，聚焦 “HBF 破解 AI 算力‘内存墙’瓶颈” 展开研讨电子工程专...。

二、官方公布核心技术参数

  1. 堆叠与容量：标准划定 8 层、16 层两种 NAND 闪存堆叠架构，单颗芯片最高容量可达512GB；
  2. 带宽分级：分为 Grade1—Grade3 三个性能档位，传输速率区间0.4TB/s～3.0TB/s，可匹配不同算力场景；
  3. 互联接口：原生兼容UCIe 芯粒高速互联协议，能够直接对接 GPU、CPU 等异构计算芯片，打通不同类型算力硬件的数据传输通道；
  4. 配套展品：同期展台首发第十代 375 层 4D NAND 闪存，性能功耗比较上代提升 2.5 倍，为 HBF 规模化量产提供底层硬件支撑SK hynix N...。

三、产品定位与产业价值

HBF 开辟出HBM 高带宽内存、SSD 固态硬盘之间的全新中间存储层级，补足现有存储架构短板：
  • HBM 速度极快但单价昂贵、单颗主流容量仅 36–96GB；SSD 容量充足但带宽偏低；
  • HBF 依托 NAND 闪存实现大容量部署，同时拥有接近 HBM 的高速吞吐能力，用闪存的成本实现准 HBM 级带宽，精准适配 AI 推理场景海量冷热数据高频读写的刚需，能够降低 AI 集群整体存储采购成本、缓解算力集群内存带宽瓶颈。

四、国内外产业格局与对标动态

海外层面

韩美企业率先锁定 HBF 赛道标准话语权，三星、美光后续大概率跟进适配规范，快速抢占海外云厂商 AI 推理服务器供应链；谷歌计划在自有数据中心开展小规模试点验证，推动标准商用落地。

国内层面

  1. 长江存储深耕 Xtacking 架构 NAND 闪存、跻身全球闪存第一梯队，后续可对接 HBF 开放标准参与生态竞争；
  2. 长鑫科技聚焦 DRAM 赛道推进 LPDDR6 量产，与 HBF 形成差异化布局；
  3. 国内算力厂商、存储芯片企业将面临两条路径：一是适配海外开放 HBF 标准融入全球生态，二是同步探索国产同类高带宽闪存技术路线，规避单一标准依赖风险。

五、行业长期影响

HBF 标准落地标志全球存储行业正式形成HBM（高速内存）—HBF（高带宽闪存）—SSD（大容量固态）三层架构，AI 算力集群的分层存储设计将成为主流趋势；未来服务器架构设计、芯片互联方案、闪存堆叠工艺都会围绕该新标准迭代重构，存储芯片赛道的竞争维度进一步拓宽。

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