立即询价 英伟达 ×SK 海力士达成多年深度技术合作
发布时间：2026-06-09
双方正式官宣长期联合研发下一代 AI 专用内存，全方位适配英伟达全系 AI 硬件平台：硬件适配：为 Vera Rubin 超算、Vera CPU、RTX Spark PC、Jetson Thor 机器人芯片定制专属高速内存；三星、美光 HBM4 均已通过英伟达认证，HBM4 三足鼎立格局成型。制造协同：SK 海力士引入英伟达 CUDA-X、PhysicsNeMo 加速芯片光刻与仿真；用 Omniv
双方正式官宣长期联合研发下一代 AI 专用内存，全方位适配英伟达全系 AI 硬件平台：
- 硬件适配：为 Vera Rubin 超算、Vera CPU、RTX Spark PC、Jetson Thor 机器人芯片定制专属高速内存；三星、美光 HBM4 均已通过英伟达认证，HBM4 三足鼎立格局成型。
- 制造协同：SK 海力士引入英伟达 CUDA-X、PhysicsNeMo 加速芯片光刻与仿真；用 Omniverse 搭建晶圆厂数字孪生，实现产线智能自主运营。
- 行业背景：黄仁勋此前预警AI 存储紧缺将持续数年，本次合作实质锁定未来数年高端 HBM、DDR 产能，应对算力扩张缺口。
- 连锁动作：韩国 SK 电讯同步规划吉瓦级 AI 云工厂；韩国 NAVER 扩容 AI 机房，采购英伟达 DSX 算力平台起步 55 兆瓦。
存储芯片市场规模走势
第二条：全球股市芯片板块大幅回调（6 月 8 日盘面）
- 美股：纳指大跌超 4%，英伟达盘中大跌 7%，单日市值蒸发约 3000 亿美元；通胀加息预期升温引发科技股抛售。
- 韩股：KOSPI 早盘大跌近 7% 触发熔断，SK 海力士跌超 4%、美光暴跌 13%。
- A 股相对抗跌：半导体设备 ETF 跌幅收窄至 1.33%；特种气体逆势大涨（六氟化钨缺货涨价，中船特气涨幅超 13%）。
第三条：国产射频芯片重大商用成果（6 月 8 日行业播报）
中国电科 55 所 + 国博电子硅基氮化镓射频芯片累计交付突破 500 万颗，为全球首款在智能手机等智能终端规模化落地的 GaAs 替代产品：
- 突破低压终端兼容难题，性能优于传统砷化镓；
- 支撑手机卫星直连、6G、低空经济硬件国产化，打破海外 Qorvo、Wolfspeed 垄断。
第四条：先进封装与材料行业动态
- 玻璃基板进入商业化前夜：机构判定 2026 年为玻璃封装基板元年，英特尔已完成 EMIB + 玻璃基板无裂纹样品；京东方、沃格光电样品验证完成，订单排至 2028 年，远期替代高价硅中介层36氪。
- 联发科封装路线变更：下一代 AI 芯片前端台积电代工、后端放弃台积电 CoWoS，改用英特尔 EMIB-T 独家封装，2026Q4 流片、2027Q4 量产，核心原因 CoWoS 产能被英伟达、AMD 抢占。
第五条：前沿半导体科研突破（海外 6 月 8 日学术资讯）
韩国浦项科大研发氧化锌 - 碲异质结新型晶体管，具备双负跨导特性，单颗器件可实现多组电路功能，信号四倍频处理速度提升 4 倍，适用于微型高密度 AI 芯片、3D 堆叠集成芯片。
相关新闻
当地时间 2026 年 2 月 24 日（北京时间 2 月 25 日），AMD 与 Meta 正式官宣全球 AI 算力领域史上最大规模的深度战略合作，双方签署多年期、多代际协议，Meta 将在其下一代 AI 基础设施中部署总计 6 吉瓦（GW）的 AMD Instinct 系列 GPU，订单价值达数千亿美元，并通过股权绑定实现深度利益捆绑，彻底重塑全球 AI 芯片供应格局。一、协议核心内容：规模、
2026-02-26
IDC：存储芯片短缺致 2026 年全球手机出货量暴跌 12.9%
2026 年 2 月 26 日，国际数据公司（IDC）发布 **《全球季度手机追踪报告》，预警全球智能手机市场正遭遇史上最大幅度下滑 **，核心导火索是AI 算力需求引发的存储芯片结构性短缺，影响将持续至 2027 年中IDC。以下为完整数据、成因、影响与趋势的深度解析。一、核心数据：史上最惨下滑，市场规模十年最低1. 出货量断崖式下跌2026 年全球智能手机出货量：11.2
2026-02-27
作为亚马逊首款3纳米工艺AI芯片，Trainium3的核心突破在于性能、能效与扩展性的全面跃升。其计算性能较前代Trainium2提升4.4倍，内存带宽与能效分别增加4倍和40%，单芯片集成144GB高带宽内存（HBM3e），提供2.52FP8 PFLOPs算力。这一性能飞跃得益于三大技术创新：3纳米制程工艺：晶体管密度提升70%以上，相同面积下集成更多计算单元，能效比提升40%，单位算力能耗降低
2025-12-10
