三星、SK 海力士宣布 Q2 DRAM 大幅涨价
发布时间:2026-03-03
据《首尔经济日报》、电子工程专辑等多家行业媒体确认,全球 DRAM 市场两大龙头 ——三星电子、SK 海力士已正式向全球客户发出通知,计划在2026 年第二季度(Q2) 对 DRAM 产品执行大幅涨价,部分中小客户涨幅或超2 倍,标志着存储芯片超级涨价周期进入新阶段。一、涨价核心信息涨价主体与时间执行方:三星电子、SK 海力士(合计占据全球 DRAM 市场超 70% 份额)。执行周期:2
据《首尔经济日报》、电子工程专辑等多家行业媒体确认,全球 DRAM 市场两大龙头 ——三星电子、SK 海力士已正式向全球客户发出通知,计划在2026 年第二季度(Q2) 对 DRAM 产品执行大幅涨价,部分中小客户涨幅或超2 倍,标志着存储芯片超级涨价周期进入新阶段。
一、涨价核心信息
- 涨价主体与时间
- 执行方:三星电子、SK 海力士(合计占据全球 DRAM 市场超 70% 份额)。
- 执行周期:2026 年 Q2 合约期,针对到期续签的新订单执行新价格。
- 通知方式:已与客户展开价格谈判,明确新季度供货将按新价执行。
- 差异化涨价幅度
- 大型客户(苹果、英伟达、云厂商等):因长期季度 / 半年锁价协议,涨幅相对可控,预计在40%-60%,但仍显著高于历史水平。
- 中小客户 / 零散采购:无长期锁价保护,为保障稳定供货,需接受100%-200%(即 1-2 倍)的涨幅,部分紧缺型号涨幅更高。
- 高端型号(DDR5、HBM):涨幅普遍高于普通 DDR4,其中 HBM 因 AI 服务器需求爆发,Q2 涨幅或达50% 以上。
- 价格暴涨数据(截至 2026 年 2 月)
- 主流 DDR4 8Gb:2025 年 3 月约1.3 美元→2026 年 2 月13 美元,累计涨幅近 10 倍。
- TrendForce 预测:2026 年 Q1 全球 DRAM 合约价整体涨幅90%-95%,Q2 延续暴涨趋势。
- 国家发改委 3 月 2 日监测:存储价格创 2016 年以来新高,近 1 月涨幅持续扩大。
二、涨价核心原因(供需严重失衡)
- AI 算力需求爆发(核心驱动)
- 单台 AI 服务器 DRAM 需求是传统服务器的8-10 倍,全球 AI 服务器出货量持续翻倍增长。
- 头部厂商将80% 以上先进产能转向高毛利的 HBM 等高端存储,挤压消费级 / 通用 DRAM 供应。
- 产能严重不足
- 三星当前 DRAM 产能仅能满足全球约 **60%** 的市场需求,供需缺口持续扩大。
- SK 海力士 DRAM 库存仅4 周,处于历史极低水平,无多余库存缓冲市场需求。
- 2026 年全球三大 DRAM 厂总产能仅个位数增长(SK 海力士约 7%),远低于需求增速。
- 供应链与市场情绪推波助澜
- 硅片、封装材料等上游成本上涨,叠加下游客户恐慌性囤货,进一步推高价格。
- 两大厂转向 “季度预购” 模式,新合约完全反映市场高价,无历史低价缓冲。
三、行业影响
- 下游终端成本暴涨
- 手机:同配置机型 2026 年将比 2025 年贵300-1000 元,旗舰机涨幅或超 30%,千元入门机基本绝迹。
- PC / 服务器:联想、戴尔等已发布调价函,整机涨幅500-1500 元,云服务商算力成本大幅上升。
- 行业格局重塑
- 中小终端厂商因成本压力被迫减产、涨价或减配,行业集中度提升。
- 国产存储(长鑫存储、长江存储)迎来量价齐升机遇,国产替代加速。
- 资本与市场反应
- 3 月 2 日存储芯片板块震荡,但全年业绩预期持续上调,多家国产存储厂商 2025 年净利润预增超150%。
- 三星电子 3 月 2 日市值突破万亿美元,成为韩国首家万亿市值企业,存储涨价为核心驱动力。
四、后续趋势判断
- 行业普遍预计:2026 年存储芯片涨价将贯穿全年,Q3-Q4 供需缺口或进一步扩大,价格仍有上行空间。
- 风险提示:若 AI 需求不及预期或价格过高抑制终端出货,可能引发阶段性价格回调。
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