4 月 23 日 台积电 High-NA EUV

发布时间：2026-04-24

台积电在最新技术路线说明会上正式公布先进制程与 EUV 设备的全新调整规划，核心做出重大产能与设备节奏变更：推迟 High-NA EUV 光刻机规模化量产应用，2029 年之前不会落地搭载该设备的量产工艺。此前行业普遍预期，台积电会快速导入天价 High-NA EUV 设备，用于 2nm 以下、1.4nm 及更先进制程研发生产，单台 High-NA EUV 光刻机采购成本高达 3.5 亿欧元，叠加
台积电在最新技术路线说明会上正式公布先进制程与 EUV 设备的全新调整规划，核心做出重大产能与设备节奏变更：推迟 High-NA EUV 光刻机规模化量产应用，2029 年之前不会落地搭载该设备的量产工艺。
此前行业普遍预期，台积电会快速导入天价 High-NA EUV 设备，用于 2nm 以下、1.4nm 及更先进制程研发生产，单台 High-NA EUV 光刻机采购成本高达 3.5 亿欧元，叠加配套厂房改造、供电、制程适配、良率调试等额外成本，整体投入规模极其庞大。
台积电管理层明确表态，现阶段 High-NA EUV 综合成本过高、量产经济性不足，且现有常规 EUV 工艺仍有充足性能与优化空间，因此战略转向深挖现有成熟 EUV 制程潜力，不再激进推进超高阶设备落地，优先控制研发与建厂成本，平衡高端芯片产能投入与盈利水平。
同步官宣两大全新制程方案，完善高低端全覆盖布局：
  1. A13 制程：规划 2029 年正式投产，定位顶级高性能计算、AI 芯片、超算处理器等高端赛道，持续迭代优化现有 EUV 架构，满足旗舰级芯片的晶体管密度、功耗与性能需求；
  2. N2U 制程：作为 2nm 工艺的改良升级版，主打性价比路线，针对性适配智能手机、轻薄笔记本、边缘端轻量化 AI 芯片等大众消费电子与中端算力产品，以成熟工艺改良降低生产成本，快速填补中端先进制程市场缺口。

本次路线调整，意味着全球先进芯片制程竞赛节奏放缓，行业从 “一味追求制程数字迭代” 转向成本、良率、需求匹配的理性发展阶段，同时也为全球晶圆厂、芯片设计企业的产品研发规划，带来中长期技术路径的重要变量。

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